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2SK3902	文件：153.15 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3902 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low On-state resistance RDS(on)1 = 21 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 26 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 p 文件：153.15 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3902	文件：284.28 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3902 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low On-state resistance RDS(on)1 = 21 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 26 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) • Lo 文件：284.28 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3902	文件：43.99 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor Features Low On-state resistance RDS(on)1 = 21mÙ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15A) RDS(on)2 = 26 mÙ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15A) Low C iss: C iss =1200 pF TYP. 文件：43.99 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK3902-ZK	文件：284.28 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3902 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low On-state resistance RDS(on)1 = 21 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 26 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) • Lo 文件：284.28 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3902-ZK	文件：153.15 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The 2SK3902 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low On-state resistance RDS(on)1 = 21 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 26 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 15 A) • Low Ciss: Ciss = 1200 p 文件：153.15 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SK3903	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3904	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3905	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3906	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3907	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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技术参数

封装类型：
MP-3ZK/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
25
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
30.2
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
13
Ciss (pF) 典型值：
830
Vgs (off) (V) 最大值：
3
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
21
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
QG (nC) 典型值：
17

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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