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2SK3702	文件：35.33 Kbytes Page：4 Pages	DC / DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. 文件：35.33 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3702	文件：323.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 55mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：323.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3702	文件：2.1379 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：2.1379 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3702	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Output MOSFETs	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3702JS	文件：57.08 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. • Avalanche resistance guarantee. • Pb-free type. 文件：57.08 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO

详细参数

型号：
2SK3702
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多2SK3702供应商更新时间2026-10-28 14:08:00

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