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2SK3778-01

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 59A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 53mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:416.73 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3778-01

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

文件:106.37 Kbytes 页数:4 Pages

FUJI

富士通

2SK3778-01

功率MOSFET 100V-300V

FUJI

富士通

2SK3878

TOS

2SK3878

TO-247

TOSHIBA

东芝

上传:深圳鹏达晟电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    2SK3778-01

  • 制造商:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 250V;RDS(ON) 43 Milliohms;ID 59A;TO-247;PD 410W;VGS +/-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SK3778-01供应商 更新时间2026-1-30 17:32:00