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2SK3793-AZ

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Isolated DC/DC Converters

文件:773.19 Kbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

2SK3793

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The 2SK3793 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 125 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 6 A) RDS(on)2 = 148 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 6 A) •

文件:306.24 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

2SK3793

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 125mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件:317.09 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SK3793

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:2.1923 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    2SK3793-AZ

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多2SK3793-AZ供应商 更新时间2026-1-30 14:02:00