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2SK3747	文件：38.61 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage, High-Speed Switching Applications High-Voltage, High-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance, low input capacitance, ultrahigh-speed switching. • High reliability (Adoption of HVP process). • Attachment workability is good by Mica-less package. • Avalanche resistance guarantee. 文件：38.61 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3747	文件：317.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 2.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 1500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 13Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：317.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3747	文件：239.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：239.99 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3747	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，功率 MOSFET，1500V，2A，13Ω 2SK3747 is an N-Channel Power MOSFET, 1500V, 2A, 13Ω, TO-3PF-3L. • Low ON-resistance.Low input capacitance.ultrahigh-speed switching.\n• High reliability by the adoption of HVP process.\n• Attachment workability is good by Mica-less package.\n• Avaianche resistance guarantee.;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3747_12	文件：107.17 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage, High-Speed Switching Applications 文件：107.17 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SK3747-1E	文件：239.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：239.99 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SK3747-1E	文件：107.17 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage, High-Speed Switching Applications 文件：107.17 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
1500
VGS Max (V)：
20
ID Max (A)：
2
PD Max (W)：
1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
13000
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
37.5
Ciss Typ (pF)：
30
Package Type：
TO-3PF-3L

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更多2SK3747供应商更新时间2025-11-19 17:20:00

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