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2SK3678-01	文件：334.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 9.0A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.58Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：334.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3678-01	文件：119.7 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：119.7 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3678-01	文件：121.73 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：121.73 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3678-01_0306	文件：121.73 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：121.73 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
2SK3678-01	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FUJI 富士通	FUJI

型号：
2SK3678
制造商：
Fuji Electric
功能描述：
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 900V;RDS(ON) 1.22 Ohms;ID +/-9A;TO-220AB;PD 270W;VGS +/-

更多2SK3678供应商更新时间2025-12-25 16:06:00