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2SK360	文件：24.5 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application VHF amplifier 文件：24.5 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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2SK3600-01L	文件：250.46 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters 文件：250.46 Kbytes 页数：4 Pages	Fuji 富士通	Fuji
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2SK3600L	文件：326.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 29A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 62mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：326.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3600S	文件：400.61 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 29A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 62mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：400.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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详细参数

型号：
2SK360
制造商：
Fuji Electric
功能描述：
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 131 Milliohms;ID +/-18A;TO-220AB;PD 105W

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