| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TOS |
200 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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TOSHIBATO-220F |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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Toshiba原厂封装 |
1782 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
共有3条记录
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2SK3667(Q)中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK3667(Q)功能描述:MOSFET N-Ch 600V 7.5A Rdson 1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
