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2SK3390IXTB-E	文件：180.61 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features • High power output, High gain, High efficiency PG = 17 dB, Pout = 6.31 W, ηadd = 60 min. (f = 836 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：180.61 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3390	文件：180.61 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features • High power output, High gain, High efficiency PG = 17 dB, Pout = 6.31 W, ηadd = 60 min. (f = 836 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：180.61 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3390	文件：78.47 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features • High power output, High gain, High efficiency PG = 17 dB, Pout = 6.31 W, ηadd= 60 min. (f = 836 MHz) • Compact package capable of surface mounting 文件：78.47 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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2SK3483-Z-E1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO252	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

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