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2SK3385(0)-Z-E1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3385	文件：42.07 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3385isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCiss:Ciss=1500pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3385	文件：236.33 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3385isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3385	文件：46.47 Kbytes Page：1 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)1=28mMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) LowCiss:Ciss=1500pFTYP. Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SK3385	文件：960.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
2SK3385	文件：398.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3385-Z	文件：331.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SK3385-Z	文件：236.33 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3385isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
2SK3385-Z	文件：42.07 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3385isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=28mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=45mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=15A) •LowCiss:Ciss=1500pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

产品编号：
2SK3385(0)-Z-E1-AZ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
30A（Tc）
描述：
TRANSISTOR

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