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2SK3135	文件：53.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：53.95 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3135	文件：94.49 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.49 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3135	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK3135	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SK3135L	文件：53.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：53.95 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3135L-E	文件：94.49 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.49 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3135S	文件：53.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：53.95 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK3135STL-E	文件：94.49 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 6 mΩ typ. • Low drive current • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：94.49 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3135L	文件：326.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：326.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3135S	文件：373.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：373.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
LDPAK(S)-(1)/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
75
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
12
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
7.5
Ciss (pF) 典型值：
7100
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
100
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only
QG (nC) 典型值：
125

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更多2SK3135供应商更新时间2026-10-28 16:39:00

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