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TOSHIBA/东芝TO-3P(L)

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2SK313功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3

2SK3130制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type

2SK3130(Q)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220

2SK3130_06制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type

2SK3130_09制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Regulator Applications

2SK3131功能描述:MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L) RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

2SK3131(Q)功能描述:MOSFET N-ch 500V 50A 0.140 ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

2SK3131_06制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator DC−DC Converter and Motor Drive Applications

2SK3131_09制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Chopper Regulator DC−DC Converter and Motor Drive Applications

2SK3132功能描述:MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L) RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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