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2SK3081-E	文件：987.1 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 10 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：987.1 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3081	文件：333.71 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK3081	文件：987.1 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 10 mΩ typ. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：987.1 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK3081	文件：50.16 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 10mΩ typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：50.16 Kbytes 页数：9 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI

更多2SK3081-E供应商更新时间2026-4-21 10:20:00