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2SK2927	文件：52.44 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=0.055 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：52.44 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2927	文件：93.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=0.055 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：93.77 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2927	文件：305.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2927	文件：1.60033 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.60033 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK2927	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK2927-E	文件：93.77 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS=0.055 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：93.77 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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