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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042 Ωtyp. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：96.02 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
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Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas |
技术参数
- 封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
60
- ID (A)：
15
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
110
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
55
- Ciss (pF) 典型值：
500
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
25
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI/日立 |
24+ |
TO 262 263 |
158297 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS瑞萨/HITACHI日立 |
24+ |
TO-252 |
8880 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-252 |
8858 |
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RENESAS |
23+ |
PLCC44L |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
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RENESAS |
24+ |
TO-252 |
5000 |
全现原装公司现货 |
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NEC |
20+ |
TO252 |
20500 |
汽车电子原装主营-可开原型号增税票 |
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RENESAS |
24+ |
TO-252 |
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原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
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TO-252 |
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HITACHI |
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SOT-252 |
35689 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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更新时间2026-1-17 13:18:00
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