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2SK2926	文件：53.16 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：53.16 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2926	文件：96.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042 Ωtyp. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：96.02 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2926	文件：896.88 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：896.88 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK2926	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SK2926L	文件：53.16 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：53.16 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2926L	文件：96.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042 Ωtyp. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：96.02 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2926L-E	文件：96.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042 Ωtyp. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：96.02 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2926S	文件：96.02 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042 Ωtyp. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：96.02 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2926S	文件：53.16 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.042Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：53.16 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2926S	文件：45.26 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Silicon MOSFET N-Channel Silicon MOSFET Features Low on-resistance RDS=0.042Ω typ. High speed switching 文件：45.26 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
15
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
110
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
55
Ciss (pF) 典型值：
500
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
25
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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