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2SK2920	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2920	文件：276.49 Kbytes Page：5 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTERAND AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) 文件：276.49 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2925	文件：53.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=0.060 Ωtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：53.81 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2925	文件：95.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features * Low on-resistance Rds = 0.060ohm type. * High Speed Switching. * 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：95.57 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2925L	文件：53.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=0.060 Ωtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：53.81 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2925L	文件：95.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features * Low on-resistance Rds = 0.060ohm type. * High Speed Switching. * 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：95.57 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2925L-E	文件：95.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features * Low on-resistance Rds = 0.060ohm type. * High Speed Switching. * 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：95.57 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2925S	文件：95.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features * Low on-resistance Rds = 0.060ohm type. * High Speed Switching. * 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：95.57 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2925S	文件：53.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance RDS=0.060 Ωtyp. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：53.81 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2925S	文件：45.47 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Silicon MOSFET Features ● Low on-resistance RDS =0.060 typ. ● High speed switching ● 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：45.47 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

封装类型：
DPAK(S)/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
160
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
80
Ciss (pF) 典型值：
350
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛芯源科技有限公司	2SK2925S	Renesas	18+	TO-252	41200	原装正品,现货特价	询价
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深圳市一线半导体有限公司	2SK2925STR	RENESAS瑞萨/HITACHI日立	24+	TO-252	8000	新进库存/原装	询价

更多2SK292供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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