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2SK2869	文件：52.81 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 0.033 Ω typ. • High speed switching • 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：52.81 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2869	文件：95.34 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 0.033 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.34 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2869	文件：45.22 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel Silicon MOSFET Features ● Low on-resistance RDS = 0.033 Ω typ. ● High speed switching ● 4V gate drive device can be driven from 5V source 文件：45.22 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SK2869	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	HITACHI 日立	HITACHI
2SK2869L	文件：95.34 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 0.033 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.34 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2869L-E	文件：95.34 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 0.033 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.34 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2869S	文件：95.34 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 0.033 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.34 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2869STL-E	文件：95.34 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS = 0.033 Ω typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：95.34 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2869L	文件：399.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：399.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2869L	文件：960.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.14 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装类型：
DPAK(L)-(2)/TO-251
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
20
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
70
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
45
Ciss (pF) 典型值：
740
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
30
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SK2869供应商更新时间2026-4-16 15:36:00

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