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2SK2854	文件：107.37 Kbytes Page：2 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (UHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS) UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION (Note)The TOSHIBA products listed in this document are intended for high frequency Power Amplifier of telecommunications equipment.These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for any other use.Do not use these TOSHIBA products listed in thisdocument 文件：107.37 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2854	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2854	文件：153.73 Kbytes Page：4 Pages	FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION 文件：153.73 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2854	文件：300 bytes Page：1 Pages	Radio-frequency power MOSFET Application Scope：Portable telephone (800MHz)\nPolarity：N-ch\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Drain current ID 0.5 A \nPower Dissipation PD 0.5 W \nDrain-Source voltage VDSS 10 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK2854_07	文件：153.73 Kbytes Page：4 Pages	FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION 文件：153.73 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK2854(TE12L,F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：MOSFET RF N CH 10V 500MA	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Application Scope：
Portable telephone (800MHz)
VDSS (Max)(V)@Tc=25degC：
10
ID (Max)(A)：
0.5
ID (Max)(A)@Tc=25degC：
0.5
PD (Max)(W)：
0.5
PD (Max)(W)@Tc=25degC：
0.5
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6
Package Size(mm^2)：
19.32

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