Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■ Features ● Low ON-resistance RDS(on): RDS(on) = 0.4Ω (typ.) ● High-speed switching: tf = 44ns (typ.) ● No secondary breakdown ● High breakdown voltage, large allowable power dissipation ■ Applications ● Contactless relay ● Diving circuit for a solenoid ● Driving circuit

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PANASONIC

松下

Very High-Speed Switching Applications

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SANYO

三洋

N-Channel 0-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Drain Current ?밒D=12A@ TC=25C

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ISC

无锡固电

Drain Current ?밒D=12A@ TC=25C

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ISC

无锡固电