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2SK1335	文件：46.94 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.94 Kbytes 页数：8 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1335	文件：963.21 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET 文件：963.21 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK1335	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOS FET	HITACHI 日立	HITACHI
2SK1335L	文件：46.94 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.94 Kbytes 页数：8 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1335S	文件：46.94 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Silicon N-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.94 Kbytes 页数：8 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1335L	文件：318.12 Kbytes Page：2 Pages	丝印：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1335S	文件：309.92 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：309.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1335L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK1335S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
DPAK(L)
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
200
ID (A)：
3
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SK1335	HITACHI	19+	TO-252	8703		询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SK1335	HITACHI/日立	24+	TO 263	158482	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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更多2SK1335供应商更新时间2026-1-7 16:04:00

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