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2SK1305	文件：34.21 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N-Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device  Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive 文件：34.21 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK1305	文件：82.69 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive 文件：82.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK1305	文件：296.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK1305	文件：2.19249 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：2.19249 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK1305	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SK1305-E	文件：82.69 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Application High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive 文件：82.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
100
ID (A)：
10
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
350
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
250
Ciss (pF) 典型值：
525
Vgs (off) (V) 最大值：
2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
25
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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