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2SJ599(0)-ZK-E1-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
2SJ599	文件：243.94 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ599	文件：50.9 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistor MOSFieldEffectTransistor Features Lowon-resistance RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)2=110mΩMAX.(VGS=-4.0V,ID=-10A) LowCiss:Ciss=1300pFTYP. Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ599	文件：40.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SJ599isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforsolenoid,motorandlampdriver. FEATURES •Lowon-stateresistance: RDS(on)1=75mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–10A) RDS(on)2=111mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–10A) •Lowinputcapacitance: Ciss=13	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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产品属性

产品编号：
2SJ599(0)-ZK-E1-AY
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
描述：
TRANSISTOR

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