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2SJ550(L)_15	文件：115.18 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550L	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550L	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ550L-E	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ550S	文件：1.87712 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ550S	文件：56.87 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ550S	文件：95.64 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.075Ωtyp. •Lowdrivecurrent. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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更多2SJ550(L)_15供应商更新时间2025-6-23 13:30:00

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