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2SJ530(L)_15	文件：114.53 Kbytes Page：11 Pages	Silicon P Channel MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ530	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530L	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ530L	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530L	文件：976.24 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ530L-E	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530S	文件：45.38 Kbytes Page：1 Pages	HightSpeedPowerSwitching Features ●Lowon-resistanceRDS(on)=0.08typ. ●Highspeedswitching ●4Vgatedrivedevices.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ530S	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ530S	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530STL-E	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530STL-E	文件：988.35 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	2SJ530-91STL	HITACHI/日立	2021+	TO252	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	2SJ530-91STL	HITACHI	21+	TO252	3000	原装现货假一赔十	询价
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深圳市环球伟业电子有限公司	2SJ530-91STL	Hitachi/Hitachi, Ltd./日立公司	21+	TO252	3000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市智创诚芯电子科技有限公司	2SJ530-91STL	HITACHI	22+	TO252	25000	原装现货,价格优惠,假一罚十	询价
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更多2SJ530(L)_15供应商更新时间2024-5-15 15:00:00

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