Power MOSFET (P-ch single)

Polarity：P-ch\nGeneration：L²-π-MOSⅤ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚 Drain current ID -5 A \nPower Dissipation PD 25 W \nDrain-Source voltage VDSS -60 V ;

Toshiba

东芝

Power MOSFET (P-ch single)

Polarity：P-ch\nGeneration：L²-π-MOSⅤ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Drain current ID -5 A \nPower Dissipation PD 20 W \nDrain-Source voltage VDSS -16 V ;

Toshiba

东芝

Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET P-CH TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET P-CH TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET P-CH TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage