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2SJ182S	文件：56.01 Kbytes Page：1 Pages	SILICON SPEED POWER SWITCHING Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：56.01 Kbytes 页数：1 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ182S	文件：988.33 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.33 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ182S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ182	文件：56.01 Kbytes Page：1 Pages	SILICON SPEED POWER SWITCHING Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：56.01 Kbytes 页数：1 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ182L	文件：976.59 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET 文件：976.59 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ182L	文件：56.01 Kbytes Page：1 Pages	SILICON SPEED POWER SWITCHING Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：56.01 Kbytes 页数：1 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

技术参数

封装类型：
DPAK(S)
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-3
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
550
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
400
Ciss (pF) 典型值：
425
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount

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更多2SJ182S供应商更新时间2025-10-10 17:40:00

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