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2SJ182	文件：56.01 Kbytes Page：1 Pages	SILICON SPEED POWER SWITCHING Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：56.01 Kbytes 页数：1 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ182	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon P-Channel MOS FET • Low on-resistance\n• High speed switching\n• Low drive current\n• No secondary breakdown\n• Suitable for switching regulator and DC-DC converterApplication\nHigh speed power switching\n ;	HITACHI 日立	HITACHI
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2SJ182S	文件：56.01 Kbytes Page：1 Pages	SILICON SPEED POWER SWITCHING Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：56.01 Kbytes 页数：1 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ182L	文件：976.59 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET 文件：976.59 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ182S	文件：988.33 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：988.33 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SJ182L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
2SJ182S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
DPAK(L)
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-3
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
550
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
400
Ciss (pF) 典型值：
425
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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