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2SJ18	文件：3.10117 Mbytes Page：8 Pages	V-FET REPLACEMENT 文件：3.10117 Mbytes 页数：8 Pages	SonySony Corporation 索尼	Sony
2SJ180	文件：373.84 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：373.84 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SJ180	文件：500.33 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR I P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING 文件：500.33 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ181	文件：87.38 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：87.38 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ181	文件：46.72 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.72 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ181L	文件：46.72 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.72 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ181L	文件：87.38 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：87.38 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ181L-E	文件：87.38 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：87.38 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ181S	文件：45.51 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOS FET For High-Speed Switching Features ● Low on-resistance ● High speed switching ● Low drive current ● No secondary breakdown ● Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：45.51 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ181S	文件：46.72 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.72 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

技术参数

Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-30
ID (A)：
-1
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
1
应用：
Industrial

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更多2SJ18供应商更新时间2025-10-4 13:30:00

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