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2SJ181S	文件：46.72 Kbytes Page：10 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter Application High speed power switching 文件：46.72 Kbytes 页数：10 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ181S	文件：87.38 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：87.38 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ181S	文件：45.51 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOS FET For High-Speed Switching Features ● Low on-resistance ● High speed switching ● Low drive current ● No secondary breakdown ● Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：45.51 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ181STL-E	文件：87.38 Kbytes Page：8 Pages	Silicon P Channel MOS FET Description High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • No secondary breakdown • Suitable for switching regulator and DC-DC converter 文件：87.38 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ181S_15	文件：1.24481 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.24481 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SJ181STR-E	文件：121.46 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS FET 文件：121.46 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ181S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
DPAK(S)/TO-252
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In SBD
VDSS (V) 最大值：
-600
ID (A)：
-0.5
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
25000
Ciss (pF) 典型值：
220
Vgs (off) (V) 最大值：
-4
VGSS (V)：
15
Pch (W)：
20
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount

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