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2SJ172	文件：42.9 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device  Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Application High speed power sw 文件：42.9 Kbytes 页数：7 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ173	文件：579.19 Kbytes Page：4 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING FEATURES ● Low On-Resistance ● High Speed Switching ● Low Drive Current ● 4 V Gate Drive Device - Can be driven from 5 V source ● Suitable for Motor Drive, DC-DC Converter, Power Swich and Solenoid Drive 文件：579.19 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ173	文件：148.13 Kbytes Page：1 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING FEATURES ● Low On-Resistance ● High Speed Switching ● Low Drive Current ● 4 V Gate Drive Device - Can be driven from 5 V source ● Suitable for Motor Drive, DC-DC Converter, Power Swich and Solenoid Drive 文件：148.13 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SJ174	文件：571.52 Kbytes Page：4 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING 文件：571.52 Kbytes 页数：4 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ175	文件：29.83 Kbytes Page：5 Pages	Silicon P-Channel MOS FET Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 4 V gate drive device - Can be driven from 5 V source • Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive Application High speed power switching 文件：29.83 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ176	文件：271.56 Kbytes Page：2 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING 文件：271.56 Kbytes 页数：2 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ177	文件：268.87 Kbytes Page：2 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING 文件：268.87 Kbytes 页数：2 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ178	文件：399.1 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：399.1 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SJ178	文件：563.28 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING 文件：563.28 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SJ179	文件：320.15 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：320.15 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
1000
Package Type：
PoMM/SC-62
Ciss (pF) typ.：
210
Nch/Pch：
Pch
Vgs (off) (V) max.：
-3
Number of Channels：
Single
VGSS (V)：
20
Automotive：
YES
Pch (W)：
2
VDSS (V) max.：
-30
Application：
Low Voltage General Switching
ID (A)：
-1.5
Mounting Type：
Surface Mount
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
1500

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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