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2SJ177	文件：268.87 Kbytes Page：2 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ177	文件：932.66 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ177	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING;	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SJ177	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Pch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
-60
ID (A)：
-20
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
130
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
85
Ciss (pF) 典型值：
1850
Vgs (off) (V) 最大值：
-2
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
35
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多2SJ177供应商更新时间2025-7-29 13:33:00

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