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2SD886	文件：199.75 Kbytes Page：5 Pages	2SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors, 2SD886 NPN Epitaxial Planar Transistors 2SB776 PNP Epitaxial Planar Transistors 2SD886 NPN Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：199.75 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD886	文件：77.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：77.17 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD886	文件：999.88 Kbytes Page：3 Pages	丝印：D886；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Voltage High Current 文件：999.88 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD886	文件：125.77 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：125.77 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SD886	文件：526.57 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Features Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. Applications Power amplifier and switching applications. 文件：526.57 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD886	文件：99.03 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：99.03 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
2SD886	文件：300 bytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor	Secos 喜可士	Secos
2SD886	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-126双极型晶体管	HighDiode 海德	HighDiode
2SD886	文件：300 bytes Page：1 Pages	普通三极管	FOSAN 富信半导体	FOSAN
2SD886-TO-126	文件：77.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：77.17 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

晶体管资料

型号：
2SD886
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）_HI.BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD265A,BD647,BD699,2SD887,2SD888,2SD1157,2SD1943,2SC1983,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>500
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
999900
atest：
3
wtest：
40

技术参数

PCM(W)：
1
IC(A)：
3
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
400
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD886供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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