2SD886中文资料长电科技数据手册PDF规格书
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2SD886三极管、2SD886晶体管、2SD886晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）_HI.BETA
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD265A,BD647,BD699,2SD887,2SD888,2SD1157,2SD1943,2SC1983,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
β>500
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
40
2SD886规格书详情
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Power dissipation
PCM: 1 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: 3 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: 50 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
产品属性
- 型号：
2SD886
- 制造商：
Distributed By MCM
- 功能描述：
SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ/长晶 |
2026+ |
TO126 |
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CJ/长电 |
25+ |
TO-126 |
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