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2SD856 | Si NPN Triple Diffused Planar Si NPN Triple Diffused Planar Power Amplifier Complementary Pair with 2SB761, 2SB761A Features ● High hFE and good linearity ● Low VCE(sat) 文件：47.1 Kbytes 页数：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | |
2SD856 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SB761 APPLICATIONS ·Designed for AF power amplifier applications. 文件：255.87 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
2SD856 | Si NPN Triple Diffused Planar | 未知品牌 | ||
Si NPN Triple Diffused Planar Si NPN Triple Diffused Planar Power Amplifier Complementary Pair with 2SB761, 2SB761A Features ● High hFE and good linearity ● Low VCE(sat) 文件：47.1 Kbytes 页数：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD241A,BD535,BD539A,BD575,BD935,TIP31A,D310A,
- 最大耗散功率：
35W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
35
详细参数
- 型号：
2SD856
- 制造商：
ISC
- 制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
isc Silicon NPN Power Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
MATK |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
MAT |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
MATK |
02+ |
TO220 |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
PANASONIC/松下 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PANASONIC/松下 |
23+ |
TO-TO-220 |
37650 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
PANASONIC |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
询价 | ||
MAT |
82 |
TO-220 |
56 |
全新 发货1-2天 |
询价 | ||
松下PANASO |
15+ |
TO-247 |
11560 |
全新原装,现货库存,长期供应 |
询价 |
