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2SD856A	文件：47.1 Kbytes Page：1 Pages	Si NPN Triple Diffused Planar Si NPN Triple Diffused Planar Power Amplifier Complementary Pair with 2SB761, 2SB761A Features ● High hFE and good linearity ● Low VCE(sat) 文件：47.1 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD856	文件：255.87 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SB761 APPLICATIONS ·Designed for AF power amplifier applications. 文件：255.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD856	文件：47.1 Kbytes Page：1 Pages	Si NPN Triple Diffused Planar Si NPN Triple Diffused Planar Power Amplifier Complementary Pair with 2SB761, 2SB761A Features ● High hFE and good linearity ● Low VCE(sat) 文件：47.1 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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更多2SD856A供应商更新时间2025-12-1 16:00:00