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2SD860

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for AF power amplifier applications.

文件:255.56 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD882L-P

TO-126

UTC/友顺

2SD882SG-P

SOT-89

UTC/友顺

2SD965AL-R-T92-B

TO92

2SD965L-R

TO-92

UTC/友顺

晶体管资料

  • 型号:

    2SD860

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    350V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BU406,BU408,BUW40,BUW40A,BUW40B,BUX85,DS33,TIP47,TIP48,TIP49,TIP50,2SD861,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    350

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    40

详细参数

  • 型号:

    2SD860

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Power Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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