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|---|---|---|---|---|
2SD860 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 250V(Min) • High Collector Power Dissipation APPLICATIONS • Designed for AF power amplifier applications. 文件:255.56 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
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TO92 | UTC | |||
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晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
350V
- 最大电流允许值:
1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BU406,BU408,BUW40,BUW40A,BUW40B,BUX85,DS33,TIP47,TIP48,TIP49,TIP50,2SD861,
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
350
- htest:
999900
- atest:
1
- wtest:
40
详细参数
- 型号:
2SD860
- 制造商:
ISC
- 制造商全称:
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述:
Silicon NPN Power Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MATSUSHITA |
25+ |
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45000 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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更新时间2026-4-17 18:03:00

