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2SD2583	文件：300 bytes Page：1 Pages	普通三极管	FOSAN 富信半导体	FOSAN
2SD2583	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SD2583-TU	文件：1.40993 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D2583；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors Features Low Vce High DC Current Gain 文件：1.40993 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
30
VCEO (V)：
30
Vebo (V)：
6
IC (A) @25 °C：
5
VCE(sat) (V) max.：
0.5
hFE min.：
150
hFE max.：
600
fT (MHz) typ.：
120
Cob (pF) typ.：
77
Package Type：
MP-5
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD2583供应商更新时间2026-1-18 14:00:00

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