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2SD2406	文件：137.99 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Good hFE linearity 文件：137.99 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406	文件：247.59 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector Power Dissipation- : PC= 25W@ TC= 25℃ • Good Linearity of hFE APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：247.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2406	文件：130.33 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：130.33 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD2406-YF	文件：130.33 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Good hFE linearity 文件：130.33 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406_06	文件：130.33 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：130.33 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406-Y(F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 4A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SD2406
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3851,2SC3691,2SD1408,2SD2000,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
8000000
atest：
4
wtest：
25

详细参数

型号：
2SD2406
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 80V 2A Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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