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2SD2406	文件：137.99 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Good hFE linearity 文件：137.99 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406	文件：247.59 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector Power Dissipation- : PC= 25W@ TC= 25℃ • Good Linearity of hFE APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：247.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2406	文件：130.33 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：130.33 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD2406-YF	文件：130.33 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Good hFE linearity 文件：130.33 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406_06	文件：130.33 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：130.33 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406-Y(F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 4A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

详细参数

型号：
2SD2406
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 80V 2A Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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