2SD2406分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SD2406 |
| 参数属性 | 2SD2406 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 4A TO220NIS |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
247.59 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | 2SD2406价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SD2406规格书详情
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min)
• Collector Power Dissipation- : PC= 25W@ TC= 25℃
• Good Linearity of hFE
APPLICATIONS
• Designed for power amplifier applications.
产品属性
- 产品编号：
2SD2406-Y(F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
30µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
8MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220NIS
- 描述：
TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
NA/ |
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