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2SD2406-Y(F)

Package:TO-220-3 整包;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 4A TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2406

PowerAmplifierApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

2SD2406

NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C) •GoodhFElinearity

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

2SD2406

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) •CollectorPowerDissipation-:PC=25W@TC=25℃ •GoodLinearityofhFE APPLICATIONS •Designedforpoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

2SD2406-YF

PowerAmplifierApplications

PowerAmplifierApplications •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C) •GoodhFElinearity

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2406-Y(F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    30µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    8MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 4A TO220NIS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba Semiconductor and Stor
2022+
TO-220NIS
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多2SD2406-Y(F)供应商 更新时间2025-5-21 8:24:00