2SD2406-Y(F)数据手册原装现货东芝-114ic电子网

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2SD2406-Y(F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 4A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SD2406-YF	文件：130.33 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Good hFE linearity 文件：130.33 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406	文件：130.33 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：130.33 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406	文件：137.99 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Good hFE linearity 文件：137.99 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2406	文件：247.59 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector Power Dissipation- : PC= 25W@ TC= 25℃ • Good Linearity of hFE APPLICATIONS • Designed for power amplifier applications. 文件：247.59 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD2406-Y(F)供应商更新时间2025-12-19 15:01:00