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2SD2349	文件：95.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(H)IS package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high speed ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·Horizontal deflection output for color TV 文件：95.68 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2349	文件：239.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(H)IS package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high speed ·Low saturation voltage APPLICATIONS ·Horizontal deflection output for color TV 文件：239.87 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2351	文件：45.81 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor Features ● High DC current gain. ● High emitter-base voltage. (VCBO=12V) ● Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：45.81 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2351	文件：87.49 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：87.49 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351	文件：61.7 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V), GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) MEDIUM POWER TRANSISTOR(25V, 1.2V) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(50V, 0.15A) 文件：61.7 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：634.89 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351T106V	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：634.89 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351T106W	文件：634.89 Kbytes Page：11 Pages	NPN 150mA 50V Muting Transistors Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Lowsaturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) 文件：634.89 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2351U3	文件：1.76283 Mbytes Page：9 Pages	丝印：BJ；Package：SOT-323；General Purpose Transistor (50V, 150mA) Features 1)High DC current gain. 2)High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3)Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=300mV at IC/ IB=50mA/5mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER 文件：1.76283 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2352	文件：182.31 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE= 800 to 3200 • Low collector saturation voltage: VCE (sat)= 0.3 V (typ.) 文件：182.31 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SD2337
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3298B,2SC4382,2SD1264,2SD1587,2SD1763A,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
200
htest：
999900
atest：
2
wtest：
20

技术参数

VCEO (V)：
150
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD2337	HITACHI/日立	22+	TO-220F	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	2SD2337	RENESAS/瑞萨	26+	220F	8880	原装认准芯泽盛世！	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	2SD2337	RENESAS/瑞萨	25+	220F	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SD2337	HITACHI	25+	TO-TO-220F	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD2337-TL-C	UTG	23+	220-252	988888	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	2SD2337C-E		24+	N/A	69000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD234		24+	TO-220	10000	全新	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	2SD234	TOSHIBA	25+	TO-220F	10	旗舰店	询价
深圳市旺财半导体有限公司	2SD234		23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD2340	PANASONIC/松下	20+	TO-218	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

更多2SD23供应商更新时间2026-2-3 14:02:00

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