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2SD1898R-HF	文件：485.25 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor Features -HighVCEO,VCEO=80. -HighIC,IC=1A(DC). -GoodHFElinearity. -LowVCE(sat).	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
2SD1898	文件：345.29 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Description The2SD1898isdesignedforswitchingapplications.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1898	文件：123 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTOR FEATURES HighVCEO=80V HighIC=1A(DC) GoodhFElinearity. LowVCE(SAT) *Complementsthe2SB1260.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1898	文件：112.11 Kbytes Page：4 Pages	EpitaxialPlanarNPNTransistors EpitaxialPlanarNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD1898	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：317.24 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighBreakdownVoltageandCurrent ●ExcellentDCCurrentGainLinearity ●Complementthe2SB1260 ●LowCollector-EmitterSaturationVoltage	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1898	文件：120.9 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：51.14 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features ●HighVCEO,VCEO=80V. ●HighIC,IC=1A(DC). ●GoodhFElinearity. ●LowVCE(sat).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1898	文件：96.42 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1898	文件：616.46 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●HighVCEO,VCEO=80V ●HighIC,IC=1A(DC) ●LowVCE(sat) ●Complementaryto2SB1260	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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