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2SD1895	文件：74.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification) Silicon PNP epitaxial planar type Darlington For power amplification Complementary to 2SD1895 ■ Features ● Optimum for 90W HiFi output ● High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000 ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): 文件：74.87 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1895	文件：54.42 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification Complementary to 2SB1255 ■ Features ● Optimum for 90W HiFi output ● High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000 ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): 文件：54.42 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1895	文件：142.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SB1255 APPLICATIONS • Power amplification • Optimum for 90W high-fidelity output applications 文件：142.54 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1895	文件：405.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE= 5000(Min)@IC= 7A ·Low-Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max.)@IC= 7A ·Complement to Type 2SB1255 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power amplifier applicatio 文件：405.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1895	文件：98.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • Optimum for 90W HiFi output • High foward current transfer ratio hFE • Low collector-emitter saturation voltage • Complement to type 2SB1255 APPLICATIONS • Power amplification 文件：98.73 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD1895	文件：124.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PFa package • High DC current gain • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SB1255 APPLICATIONS • Power amplification • Optimum for 90W high-fidelity output applications 文件：124.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1895	文件：125.98 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors 文件：125.98 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1895_15	文件：98.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors 文件：98.73 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD1895_2015	文件：98.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors 文件：98.73 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SD1895
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD2438,
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
β>5000
图片代号：
B-38
vtest：
160
htest：
20000000
atest：
8
wtest：
100

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