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2SD1664

Plastic-EncapsulateTransistors

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

2SD1664

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司

2SD1664

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complementsto2SB1132

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司

2SD1664

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

2SD1664

NPNEpitaxialPlanarTransistors

Features: *LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA)

WEITRON

Weitron Technology

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SD1664

NPNSiliconGeneralPurposeTransistor

Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor

Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

2SD1664

MediumPowerTransistor(32V,1A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

2SD1664

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR

MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) *Complementthe2SB1132.

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SOT-89
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NA
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SOT89
8000
原装现货假一赔十
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更多2SD1664P供应商 更新时间2025-5-15 9:44:00