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2SD1664R	文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
2SD1664	文件：942.09 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SD1664	文件：963.1 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD1664	文件：230.12 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SD1664	文件：126.65 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1664	文件：755.08 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complementsto2SB1132	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1664	文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1664	文件：278.75 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors Features: *LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD1664	文件：173.46 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1664	文件：118.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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更多2SD1664R供应商更新时间2025-7-23 14:08:00

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