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2SD1117	文件：248.08 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.2V(Max) @IC= 5A • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SB850 APPLICATIONS • Designed for audio amplifier, series regulators and general purpose power 文件：248.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1445A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	松下上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	松下
2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SD1616AG-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
2SD1616AG-G-AB3-R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89(SOT-89-3)	UTC(友顺) 上传：深圳广友电子有限公司	UTC(友顺)

晶体管资料

型号：
2SD1117
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD705,BD743,BD805,2SD1062,2SD1443,3DD62B,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
40
htest：
999900
atest：
10
wtest：
50

详细参数

型号：
2SD1117
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon NPN Power Transistor

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更多2SD1117供应商更新时间2026-4-17 14:00:00

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