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2SD1168	文件：122.31 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：122.31 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1171	文件：103.21 Kbytes Page：2 Pages	High Power Dissipation 文件：103.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1173	文件：103.05 Kbytes Page：2 Pages	High Power Dissipation 文件：103.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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2SD1175	文件：128.91 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：128.91 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1180	文件：100.79 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：100.79 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1183	文件：263.32 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：263.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1184	文件：263.32 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：263.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1185	文件：118.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：118.02 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
2SD1113
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
INT.Z_DIODE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD971,2SD991,2SD1071,2SD1088,2SD1089,2SD1162,2SD1307,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>500
图片代号：
B-10
vtest：
300
htest：
999900
atest：
6
wtest：
40

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Base Voltage：
300V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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