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2SD1185	文件：56.15 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING 文件：56.15 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1185	文件：116.41 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High speed switching APPLICATIONS • Power switching applications 文件：116.41 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1186	文件：116.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High speed switching APPLICATIONS • Power switching applications 文件：116.65 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1186	文件：126.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3 package • High breakdown voltage • High speed switching APPLICATIONS • Power switching applications 文件：126.74 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1186	文件：56.15 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING 文件：56.15 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1187	文件：256.45 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 80V(Min) · Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 0.5V(Max.) @ IC= 6A · High Power Dissipation APPLICATIONS · High power switching applications · DC-DC converter and DC-AC inverter applications 文件：256.45 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1187	文件：210.55 Kbytes Page：4 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND DC-AC INVERTER APPLICATIONS) HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS DC-DC CONVERTER AND DC-AC INVERTER APPLICATIONS 文件：210.55 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1190	文件：119.12 Kbytes Page：4 Pages	For Various Drivers PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Tranasistors Features · High DC current gain. · Large current capacity and wide ASO. · Low saturation voltage. Applications · Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulators. 文件：119.12 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1191	文件：123.08 Kbytes Page：4 Pages	Driver Applications??????? Features • High DC current gain. • High current capacity and wide ASO. • Low saturaion voltage. Applications • Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulator control. 文件：123.08 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1191	文件：248.52 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @IC= 3.5A • Low Saturation Voltage • Complement to Type 2SB881 APPLICATIONS • Designed for motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulator applications 文件：248.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
2SD1113
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
INT.Z_DIODE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD971,2SD991,2SD1071,2SD1088,2SD1089,2SD1162,2SD1307,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>500
图片代号：
B-10
vtest：
300
htest：
999900
atest：
6
wtest：
40

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum DC Current Gain：
500@4A@2V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
300V
Maximum Collector Base Voltage：
300V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2@40mA@4AV
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	2SD1113	HITACHI/日立	23+	TO220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多2SD11供应商更新时间2026-4-21 16:01:00

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