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2SCR533P	文件：384.06 Kbytes Page：8 Pages	NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor 文件：384.06 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533P	文件：235.15 Kbytes Page：5 Pages	丝印：T100；Package：MPT3；Midium Power Transistors (50V / 3A) 文件：235.15 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533P_09	文件：235.15 Kbytes Page：5 Pages	Midium Power Transistors (50V / 3A) 文件：235.15 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533P5	文件：1.84546 Mbytes Page：9 Pages	丝印：NM；Package：SOT-89；Middle Power Transistors (50V / 3A) 文件：1.84546 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533PFRA	文件：1.51019 Mbytes Page：8 Pages	Middle Power Transistor (50V / 3A) 文件：1.51019 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533PT100	文件：384.06 Kbytes Page：8 Pages	NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor 文件：384.06 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Driver Transistor •启动用表面安装型三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533PFRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Driver Transistor (支持 AEC-Q101) 车载双极晶体管与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •启动用表面安装型三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533PHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN 中功率驱动器用晶体管 (50V/3A) 2SCR533PHZG是低VCE(sat)的低频放大用晶体管。 • Low saturation voltage VCE(sat)=350mV (Max.)(IC/IB=1A/50mA)\n• High speed switching\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR533PFRAT100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A MPT3	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50.0
Collector current Io(Ic) [A]：
3.0
hFE：
180 to 450
hFE (Min.)：
180
hFE (Max.)：
450
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多2SCR533P供应商更新时间2025-10-11 19:24:00

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